BEGIN:VCALENDAR
VERSION:2.0
PRODID:-//Plone.org//NONSGML plone.app.event//EN
X-WR-TIMEZONE:Europe/Berlin
BEGIN:VEVENT
SUMMARY:Wachstum\, Charakterisierung und Optimierung verdünnt N-haltiger 
 III-V Halbleiter mittels MOVPE unter Verwendung N-Präkursoren für optoel
 ektronische Anwendungen
DTSTART;TZID=Europe/Berlin:20190528T103000
DTEND;TZID=Europe/Berlin:20190528T103000
DTSTAMP:20260426T082438Z
UID:3e23d2b27b5c4adb8942c7e0958b5706@www.uni-marburg.de
ATTENDEE;CN="Referent: Johannes Reinhold Glowatzki, Erstgutachterin: Prof.
  Dr. Kerstin Volz, Zweitgutachter: Prof. Dr. Carsten von Hänisch";ROLE=RE
 Q-PARTICIPANT:Referent: Johannes Reinhold Glowatzki, Erstgutachterin: Prof
 . Dr. Kerstin Volz, Zweitgutachter: Prof. Dr. Carsten von Hänisch
CREATED:20190522T115521Z
DESCRIPTION:https://www.uni-marburg.de/de/fb13/aktuelles/termine/examensar
 beiten/2019/wachstum-charakterisierung-und-optimierung-verduennt-n-haltige
 r-iii-v-halbleiter-mittels-movpe-unter-verwendung-n-praekursoren-fuer-opto
 elektronische-anwendungen\nPräsentation der Masterarbeit von Herrn Johann
 es Reinhold Glowatzki
LAST-MODIFIED:20190522T115747Z
LOCATION:Lahnberge\, MZG-Hans-Meerwein-Straße 6\, Seminarraum WZMW (Raum-
 Nr. 02D36)
URL:https://www.uni-marburg.de/de/fb13/aktuelles/termine/examensarbeiten/2
 019/wachstum-charakterisierung-und-optimierung-verduennt-n-haltiger-iii-v-
 halbleiter-mittels-movpe-unter-verwendung-n-praekursoren-fuer-optoelektron
 ische-anwendungen
END:VEVENT
BEGIN:VTIMEZONE
TZID:Europe/Berlin
X-LIC-LOCATION:Europe/Berlin
BEGIN:DAYLIGHT
DTSTART:20190331T030000
TZNAME:CEST
TZOFFSETFROM:+0100
TZOFFSETTO:+0200
END:DAYLIGHT
END:VTIMEZONE
END:VCALENDAR
