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Interpniktogenverbindungen

In Kooperation mit dem Arbeitskreis von Frau Prof. Volz (Fachbereich Physik) werden neue Gruppe 15 Präkursoren zur Herstellung von Halbleiterschichten erforscht. So untersuchen wir derzeit die großtechnische Synthese und Aufreinigung der Verbindung tBu2AsNH2, welche erstmals als Single Source Präkursor im MOVPE-Verfahren als Arsen- und Stickstoffquelle für Ga(NAs)- und (GaIn)(NAs)-Halbleiterschichten eingesetzt wird. Dieser neue Präkursor zeigt eine hohe Einbaurate für Stickstoff in halbleitende Schichten und gleichzeitig weisen die Halbleiterschichten gute strukturelle und optoelektronische Eigenschaften auf.

Weiterhin untersuchen wir einen synthetischen Zugang zu antimonanalogen Verbindungen wie tBu2SbNH2 oder tBu2SbN(H)tBu. Neben der Anwendung als Präkursoren für den MOVPE-Prozess interessiert uns auch deren Reaktivität in kondensierter Phase. Durch Umsetzungen mit verschiedenen Gruppe 13-Elementverbindungen konnten wir z.B. neuartige ternäre Molekülverbindungen erhalten.

Aktueller Gegenstand der Forschung sind Diaminostibane, sowie Arsa- und Stibaphosphane. Zudem ist die Ausweitung des Themengebietes auf das Element Bismut geplant. Weitere Ziele sind ternäre und quaternäre molekulare Interpniktogen-verbindungen.