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10.07.2019

Molecular beam epitaxy growth of InAsSbBi on GaSb for mid infrared applications

Zeit: 19.07.2019 14:15 h
Ort: FB Physik, Renthof 5, kl. Hörsaal

Referierende/Beteiligte:

Dr. Shane Johnson, Arizona State University, Phoenix/AZ, USA

Veranstalter:

GRK 1782

Zuletzt aktualisiert: 12.07.2019 · Kimmel

 
 
 
Philipps-Universität Marburg

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