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Interpniktogenverbindungen

Ein zentrales Thema der Forschung in dieser Arbeitsgruppe ist die Knüpfung von chemischen Bindungen zwischen verschiedenen Elementen der Gruppe 15. und somit die gezielte Synthese von molekularen Verbindungen die aus verschiedenen Gruppe 15-Elementen aufgebaut sind. Derartige Spezies stellen nicht nur eine präparative Herausforderung dar, sondern haben auch ein großes Anwendungspotenzial als mögliche Präkursoren zur Halbleiterherstellung. So untersuchen wir derzeit In Kooperation mit den Arbeitsgruppen von Frau Prof. Volz und Herrn Prof. Stolz (beide Fachbereich Physik der Philipps-Universität Marburg) die Anwendung der Verbindungen tBu2PNH2 und tBu2AsNH2 als Single Source Präkursor für Arsen bzw. Phosphor und Stickstoff zur Herstellung von Ga(NAs)-, (GaIn)(NAs)- oder auch Ga(PN)-Halbleiterschichten.

Darüber hinaus untersuchen wir auch einen synthetischer Zugang zu Präkursoren mit anderen Gruppe 15 Elemente. Hierbei stehen vor allem die Elemente Antimon und Bismut im Vordergrund. Beispielsweise konnten wir die Alkyl- bzw. Aryl-substituierten Verbindungen des Bismuts tBu2Bi(SCN) (A) und Dipp2Bi-PtBu2 (B) herstellen und charakterisieren.

(A)                                                                                                                        (B)

Molekülstruktur von A
Abbildung: C. Ritter
Dipp2Bi-PtBu2
Abbildung: C. Ritter

Weiterhin arbeiten wir an der gezielten Synthese von Kettenmolekülen mit mehrerer Gruppe-15-Elemente und konnten beispielsweise die Verbindung tBu2Bi-P(tBu)-AstBu2 (C) erhalten. Erst kürzlich gelang es uns auch, erstmals eine Verbindung herzustellen, die alle fünf Gruppe-15-Elemente in sich vereint (D).

(C)                                                                                                                    (D)

Molekülstruktur einer ternären Interpnictogenverbindung
Abbildung: C. Ritter
Molekülstruktur von D
Abbildung: C. Ritter

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