12.07.2019 Molecular beam epitaxy growth of InAsSbBi on GaSb for mid infrared applications
Dr. Shane Johnson, Arizona State University, Phoenix/AZ, USA
Zeit: Freitag, 19.07.2019, 14:15 Uhr
Ort: Fachbereich Physik, Renthof 5, kl. Hörsaal
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Prof. Dr. Stephan W. Koch