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Gerätezentrum Halbleiterepitaxie
Ein Mitarbeiter arbeitet am MOVPE Reaktor
Die Benutzungsordnung für das Gerätezentrum Halbleiterepitaxie sowie Hinweise zu Nutzungskosten finden Sie unter folgenden Links:
Benutzungsordnung (PDF)
Hinweise zu Gerätenutzungskosten und zu Gerätezentren (PDF)
Anlagen zur metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOCVD) bzw. atomlagengenauen Abscheidung (ALD)
| Gerät | Spezielle Merkmale | Standort | person (Details s.u.) |
|---|---|---|---|
| 2 x 300mm Crius Cluster (Aixtron AG) |
III/V and SiGeC Epitaxie: Wafer-Größe: bis 12" (300 mm), CVD-Apparatur: Si/Ge/C-Epitaxie, MOVPE-Apparatur: III/V-Epitaxie, Brooks Wafer-Handler zum Laden und Transfer von Substraten, Epi Curve TT (LayTec) |
LB, mar.quest | SR, KV |
| 2 x 2" III/V-MOVPE-systems (Aixtron AG) | Zwei AIX 200-Apparaturen verbunden mit N2 Glove-box: Ausgerüstet mit EpiRAS (Laytec), Massen-Spektrometer (Zeiss), Materialien: SiGeC, III/V und 2D (z.B. Post-Übergangsmetall-Chalcogenide) |
LB, mar.quest | SR, KV |
| OXTRON | Home-built (MOVPE/CVD)-Apparatur: 2 heiße Quellen für Niedrig-Dampfsdruck-Quellen |
LB, mar.quest | SR, KV |
Charakterisierung von Halbleitern
| Gerät | Spezielle Merkmale | Standort | person (Details s.u.) |
|---|---|---|---|
| Atomic force microscopy (AFM) | LB, mar.quest | ||
| X-ray diffraction (XRD) | LB, mar.quest | ||
| Photoluminescence (PL) | LB, mar.quest | ||
| Raman Spectroscopy | LB, mar.quest | ||
| ECV measurements | LB, mar.quest | ||
| Magnetotransport/Hall | LB, mar.quest |
Kontakte
| Name | Kontakt |
|---|---|
| C. Becker CB |
Tel.: 06421 / 28-22260 E-Mail: celina.becker@physik |
| Dr. A. Beyer AB |
Tel.: 06421 / 28-25704 E-Mail: andreas.beyer@physik |
| M. Hellwig MH |
Tel.: 06421 / 28-23458 E-Mail: michael.hellwig@staff |
| Stefan Reinhard SR |
Tel.: 06421 / 28-25691 E-Mail: stefan.reinhard@physik |
| Prof. Dr. K. Volz KV |
Tel.: 06421 / 28-22297 E-Mail: kerstin.volz@physik |
Um eine vollständige E-Mail-Adresse zu erhalten, fügen Sie bitte ".uni-marburg.de" an.