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Wachstum, Charakterisierung und Optimierung verdünnt N-haltiger III-V Halbleiter mittels MOVPE unter Verwendung N-Präkursoren für optoelektronische Anwendungen
Präsentation der Masterarbeit von Herrn Johannes Reinhold Glowatzki
Veranstaltungsdaten
28. Mai 2019 10:30 – 28. Mai 2019 10:30
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Lahnberge, MZG-Hans-Meerwein-Straße 6, Seminarraum WZMW (Raum-Nr. 02D36)
Referierende
Referent: Johannes Reinhold Glowatzki, Erstgutachterin: Prof. Dr. Kerstin Volz, Zweitgutachter: Prof. Dr. Carsten von Hänisch
Veranstalter
AG Experimentelle Halbleiterphysik/WZMW