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M.Sc. Fabian Pieck

Raum: 02/4420 – Telefon: +49-6421-2826523 – eMail: pieck__at__students.uni-marburg.de

   

Tätigkeitsfeld

null   Das Thema meiner Forschungsarbeit ist das Wachstum von Galliumphosphid (GaP) in der metallorganischen Gasphasenepitaxie. GaP ist für die Funktionalisierung von Silizium entscheidend, da es über eine ähnliche Gitterkonstante wie Silizium verfügt. Eine Schicht von GaP auf Silizium dient dabei als Substrat, um optisch aktive Materialien wie Ga(NAsP) mit einer möglichst kleinen Verspannung des Materials aufzuwachsen. Das Ziel meiner Arbeit ist ein grundlegendes Verständnis über die chemischen Reaktionen der Präkursoren mit und auf der GaP(001) Oberfläche zu erhalten. Dieses Verständnis soll dabei helfen ein defektfreies Wachstum von GaP und damit die optimale Grundlage für die Funktionalisierung von Silizium zu schaffen.

Um die Elementarschritte des GaP Wachstums zu verstehen wird das Reaktionsnetzwerk verschiedener Präkursoren wie GaH3, PH3, Ga(CH3)3, Ga(C2H5)3 oder (C4H9)PH2 mit Hilfe der periodischen Dichtefunktional Theorie untersucht. Das Wachstum von GaP auf einer GaP(001) Oberfläche dient als Modellsystem um die grundlegenden Teile des Reaktionsnetzwerkes, wie beispielsweise die Adsorption, Diffusion und Dekomposition, zu untersuchen. Des Weiteren werden Methoden der Bindungsanalyse bei wichtigen Reaktionsprodukten für das Verständnis der Reaktivität hinzugezogen.

Das Promotionsprojekt ist in dem Graduiertenkolleg „Funktionalisierung von Halbleitern” (GRK 1782) eingegliedert und wird durch die deutsche Forschungsgemeinschaft finanziert. Innerhalb dieses Forchschungsprogramms findet eine enge Zusammenarbeit mit der experimentellen Arbeitsgruppe von Prof. Dr. Kerstin Volz (Fachbereich Physik) statt.

   
 


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Erstellt von Reuti

Zuletzt aktualisiert: 19.02.2018 · Reuti

 
 
 
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